ADVANCED SPECTROSCOPIES FOR INVESTIGATING ELECTRONIC PROPERTIES AND CHARGE TRANSFER MECHANISMS IN GRAPHENE AND HYBRID INTERFACES

The advancement of science and technology is intrinsically tied to the development of innovative materials. These materials play a critical role in meeting the escalating demands for complex and high-performance devices. Consequently, there is a compelling need for thorough investigations into the physical, morphological, and electronic properties of solid-state semiconductors. These semiconductors hold significant potential for a wide range of applications, spanning from photonics and electronics to photovoltaics and sensing. Within the context of this doctoral project, particular emphasis is placed on the rigorous exploration of advanced materials and interfaces, with a specific focus on interfaces involving graphene and nanostructured metal oxide semiconductors. In order to gain an in-depth understanding of these materials and their properties, a combination of cutting-edge spectroscopic techniques has been employed, encompassing conventional laboratory setups, high-intensity synchrotron radiation experiments, ultrafast laser pulse methodologies, and measurements conducted under operando conditions. This confluence of diverse experimental approaches culminates in a comprehensive characterization of the chemical systems under investigation. By means of this integrative methodology, the static and dynamic responses of these materials can be addressed, including time-resolved electron transfer and charge transport processes, electronic properties of specific materials and interfaces, and interaction with target gas analytes.

L'avanzamento della scienza e della tecnologia è intrinsecamente legato allo sviluppo di materiali innovativi. Questi materiali svolgono un ruolo critico nel soddisfare le crescenti richieste di dispositivi complessi e ad alte prestazioni. Di conseguenza, vi è un impellente bisogno di indagini approfondite sulle proprietà fisiche, morfologiche ed elettroniche dei semiconduttori a stato solido. Questi semiconduttori hanno un significativo potenziale per una vasta gamma di applicazioni, che vanno dalla fotonica ed elettronica al fotovoltaico e alla sensoristica. Nel contesto di questo progetto di dottorato, viene posta particolare enfasi sull'esplorazione rigorosa di materiali avanzati e interfacce, con un focus specifico sulle interfacce che coinvolgono il grafene e i semiconduttori di ossidi metallici nanostrutturati. Per ottenere una comprensione approfondita di questi materiali e delle loro proprietà, è stata impiegata una combinazione di tecniche spettroscopiche all'avanguardia, che comprendono setup convenzionali, esperimenti con radiazione di sincrotrone ad alta intensità, metodologie con impulsi laser ultra veloci e misurazioni condotte in condizioni operative. Questa convergenza di diverse approcci sperimentali culmina in una caratterizzazione completa dei sistemi chimici in esame. Attraverso questa metodologia integrativa, è possibile caratterizzare le risposte statiche e dinamiche di questi materiali, compresi i processi di trasferimento elettronico e di trasporto di carica risolti nel tempo, le proprietà elettroniche di materiali e interfacce specifici e l'interazione con analiti in fase gassosa.